Package Information
Vishay Siliconix
S OIC (NARROW): 8-LEAD
JEDEC P a rt N u m b er: M S -012
8
1
7
2
6
3
5
4
E
H
S
D
A
0.25 mm (G a ge Pl a ne)
h x 45
C
All Le a d s
e
B
A 1
L
q
0.101 mm
0.004"
MILLIMETERS
INCHES
DIM
A
A 1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
S
Min
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
5.80
0.25
0.50
0.44
1.27 BSC
Max
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
6.20
0.50
0.93
0.64
Min
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
0.228
0.010
0.020
0.018
0.050 BSC
Max
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.244
0.020
0.037
0.026
ECN: C-06527-Rev. I, 11-Sep-06
DWG: 5498
Document Number: 71192
11-Sep-06
www.vishay.com
1
相关PDF资料
SQ7414EN-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
SQ7415EN-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK 1212-8
SQD15N06-42L-GE3 MOSFET N-CH 60V 15A TO252
SQD19P06-60L-GE3 MOSFET P-CH D-S 60V TO252
SQD23N06-31L-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SQD35N05-26L-GE3 MOSFET N-CH D-S 55V 30A TO252
SQD40N04-10A-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252
SQD50N02-04-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252
相关代理商/技术参数
SQ4946AEY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SQ4946AEY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 7A 4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQ4946EY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 4.5A 2.4W 55mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQ4949EY-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SQ4953EY-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SQ4957 制造商:SEMICOA 制造商全称:SEMICOA 功能描述:Chip Type 2C4957 Geometry 0006 Polarity PNP
SQ4957F 制造商:SEMICOA 制造商全称:SEMICOA 功能描述:Chip Type 2C4957 Geometry 0006 Polarity PNP
SQ4961EY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 ?°C MOSFET